Trên sàn sản xuất, soft bake và hard bake không chỉ là “bước gia nhiệt”. Chúng giống như đi trên dây. Sai lệch 2°C sẽ làm kích thước quan trọng (CD) lệch khỏi mục tiêu, và nếu quá trình bake phát sinh bụi, bạn có thể thấy tỷ lệ sản phẩm đạt bị giảm mạnh. Chúng tôi thiết kế đèn bake trong môi trường kiểm soát để ngăn chặn hai lỗi này ngay từ đầu.
Điều quan trọng thực sự bên trong
Chúng tôi sử dụng đốt nóng hồng ngoại sóng ngắn (SWIR) với các phần tử quartz-halogen, buồng xử lý được niêm phong và thổi khí nitơ để loại trừ oxy và độ ẩm. Trên toàn vùng bake, độ đồng nhất nhiệt độ ở mức ±0.1°C trên mỗi wafer, với khả năng lặp lại điểm đặt trong ±0.2°C. Khi thay đổi công thức, hệ thống ổn định trong dưới 5 giây—giúp bạn chạy nhiều loại sản phẩm mà không cần gia nhiệt kéo dài, tránh lãng phí nhiệt.
Thiết bị phù hợp cho phòng sạch Class 1–100: vật liệu ít phát thải khí và đường thoát khí được lọc giữ cho lượng bụi không tăng đột biến.
Tại sao điều này hiệu quả trong lithography
Trong lithography, bạn cần giữ cùng một cấu hình photoresist từ lô này sang lô khác, wafer này sang wafer khác. Đèn này đảm bảo điều đó bằng cách kiểm soát chặt chẽ ngân sách nhiệt—giảm biến động chiều rộng đường nét, cải thiện kiểm soát cấu hình. Môi trường kiểm soát hạn chế sự hình thành lớp da và bẫy dung môi, đồng nghĩa với giảm lỗi và ít phải làm lại.
Vì SWIR đốt nóng trực tiếp và chu trình ngắn hơn, lượng tiêu thụ năng lượng giảm. Thiết bị được thiết kế cho hoạt động liên tục 24/7 trong fab, với các khoảng bảo trì có thể lên kế hoạch trước—không phải downtime bất ngờ.
Những điểm cần lưu ý khi lắp đặt và duy trì
Lắp đặt yêu cầu mạch điện riêng cho phòng sạch và nguồn khí nitơ được điều chỉnh đúng áp suất và độ tinh khiết. Nếu cung cấp khí không đúng, độ ổn định nhiệt độ sẽ bị ảnh hưởng.
Diện tích thiết bị nhỏ gọn, nhưng vẫn phải để khoảng trống cho hệ thống ống xả và lối tiếp cận bảo trì.
Để đảm bảo thời gian hoạt động, thực hiện bảo trì phòng ngừa theo dõi tuổi thọ đèn và kiểm tra cửa sổ quartz theo lịch trình. Thực hiện đúng sẽ giữ được độ đồng nhất và hiệu suất hạt trong phạm vi yêu cầu.